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2012年1・2月号　（隔月15日発行通巻第106号）

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■合同部会（2011年12月2日）より

非磁性体中への高効率スピン注入技術

非局所スピン注入は、純スピン流に関する学理のみならずスピン蓄積を用いた新しいスピントロニクス素子を実現する手法としても期待されている。しかしながら、非局所スピン注入を用いたスピン蓄積素子の出力信号は数μV程度である。出力信号の増大には強磁性体から非磁性体中へのスピン注入効率の向上が必要である。本稿ではその改善方法について解説する。MgOを用いることでNiFeとAg間のスピン抵抗不整合を解消し、スピン蓄積素子の出力信号を数百μVに向上した。

■合同部会（2011年12月2日）より

Znウスタイトスピンフィルタリング層による磁気抵抗効果の増大

１．はじめに
　CPP-GMR (Current-perpendicular-to-plane giant magneto -resistance) スピンバルブ膜はその低い面積抵抗 (Resistance area product : RA) のため次世代のHDD再生ヘッド材料として注目されているが、MR変化率の増大が求められている。この目的のために、スペーサ材料に電流狭窄型極薄酸化物層(Current-Confined -to-the-Paths Nano-oxide-layer : CCP-NOL)を用いることによる高MR化が報告されており1)、我々は、ナノ電流パスの高純度化のために水素イオン還元プロセスを用いることでMR変化率の向上を報告した2)。一方、磁性層材料の改善も高MR化のためには有効であり3）、最近ではハーフメタルホイスラー合金を用いたCPP-GMRで41.7 %の高いMR変化率が報告されている4）。しかしながら、ホイスラー合金において、高MR化のためには単結晶基板を用いる必要があり、多結晶膜の実験で狭ギャップ化に適した薄い磁性層で高いMR変化率を実現した例はない。また、同様にハーフメタル予測がされているFe3O4 5）も検討されているが、そのMR変化率は2.6% 5)とハーフメタルとは程遠い小さい値しか報告されていない。